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中国首条8英寸 硅基氮化镓生产线投产
时间:2017-11-14 10:09:24来源:科技日报
提要:英诺赛科(珠海)科技有限公司拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓外延技术,突破了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电晶圆制造的全球性挑战,将碎片率大幅降至1%以下领先水平。
中国首条8英寸 硅基氮化镓生产线投产

由英诺赛科(珠海)科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线11月9日在珠海正式通线投产。主要产品包括100V-650V氮化镓功率器件,设计及性能均达到国际最先进水平。产品将广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车、信息与通信和智能工业等领域。

英诺赛科(珠海)科技有限公司拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓外延技术,突破了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电晶圆制造的全球性挑战,将碎片率大幅降至1%以下领先水平。

氮化镓又被称作第三代半导体,是当今世界上最具潜力的半导体材料之一,并被预言将会在不久的未来改变世界。硅基氮化镓产业早在20年前就开始在欧洲和美国等地发展,如今在产品和技术方面已经取得了重大进展。然而,在中国该产业才刚起步,中国此前在这一产品领域尚属空白。

业内专家认为,氮化镓产业已经到了爆发前夜,在8英寸硅基氮化镓晶圆产业化上取得重大突破,将为中国在半导体领域实现“换道超车”作出重要贡献。 

正如中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书长徐小田所言,在这个行业里,企业只有建立起自己的研发体系、人才体系,这样才能不断进步,不断领先。

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作者系龙跃梅

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