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王成新
时间:2018-01-12 15:12:15来源:千人智库网
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提要:所在学科:材料物理与化学主要研究方向: 低维光电功能材料的设计、应用及理论研究、低维材料的高压物性研究、宽禁带半导体材料及器件研究。
王成新

个人简介:

王成新,男,现任中山大学物理科学与工程技术学院教授,博士生导师。所在学科:材料物理与化学主要研究方向: 低维光电功能材料的设计、应用及理论研究、低维材料的高压物性研究、宽禁带半导体材料及器件研究。

主要经历:

2002年12月毕业于吉林大学超硬材料国家重点实验室,并获理学博士学位;论文题目:金刚石基的宽禁带半导体异质结及相关理论研究;2005年5月于中山大学光电材料与技术国家重点实验室博士后出站;2005年6月-2007年6月,日本东京工业大学JSPS特别研究员(日本学术振兴会(JSPS)资助);2007年6月,入选中山大学百人计划,受聘于中山大学光电材料与技术国家重点实验室.近年来,一直从事低维光电功能材料设计应用及相关理论研究。

科研成果:

1. 硅纳米线热氧化的定量动力学模型。通过修正Deal-Grove 模型的假设, 进一步考虑氧在已形成的二氧化硅中扩散的时间及空间相关性,以及硅和二氧化硅界面处存在的高密层,建立了硅纳米线热氧化的动力学模型。由此给出了硅纳米线热氧化的速率与硅纳米线的初始半径及已形成二氧化硅层厚度的的定量关系,这个理论结果与实验观察一致。在上述扩散机制的启发下,组装出了碳化硅纳米管。  2. 金属触媒作用下硅纳米线成核热力学模型与生长动力学模型。以VLS 唯像模型为基础,在假设金属触媒入端和出端硅原子数守恒的情况下,考虑液固界面能和曲率效应的共同作用,导出了硅纳米线临界晶核Gibbs 自由能的数学表达式,并由此给出了硅纳米线最小直径和纳米线生长取向与直径关系的定量描述,这两个理论结果均与实验观察一致。解释了硅纳米线直径与金属触媒直径相等的物理起源,提出了纳米线生长过程中金属触媒位于顶端还是底部的综合判据。以上述理论模型为基础,设计出以锗为触媒的在蓝光波段发光的超长二氧化硅纳米线。3. 金刚石等高压相在经典热力学亚稳区的成核与相变。以P-T 相图为基础数据,考虑纳米尺度晶核曲率效应诱导的附加内压,建立了纳米尺度下金刚石等高压相材料在经典热力学亚稳区成核的经验模型。利用该模型,预言了金刚石纳米线在管状衬底上成核的可能性及物理机制,得到了国际同行的实验验证;利用成核的曲率效应, 组装出了具有优异场发射性能的准周期性排列的碳化铝/非晶碳一维纳米结构。

所获荣誉:

教育部新世纪优秀人才支持计划(2008

2008年度广东省科学技术奖(自然科学类)一等奖(第二完成人)

广东省高等学校“千百十工程”培养对象(校级)

日本 JSPS Research Fellowship

中山大学百人计划

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王成新 智库 杰出青年

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