本技术在最低400度下就能够在介电衬底上直接制备石墨烯晶体，可以实现对石墨烯的掺杂，石墨烯薄膜的透过率达到97%，石墨烯薄膜本征表面电阻约2000-10000欧姆，掺杂后表面电阻小于1000欧姆，可以应用于透明导电薄膜、透明柔性电子器件等领域。

石墨烯研究的关键问题是如何在不导电的介电层衬底上得到石墨烯样品。目前常用的方法是在金属衬底上在800-1000度高温下通过化学气相沉积法合成，然后再转移到介电衬底上。这个过程通常比较复杂而且会带来杂质和缺陷，严重影响石墨烯的质量。而本技术在最低400度下就能够在介电衬底上直接制备石墨烯晶体。

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